Hersteller Produktnummer:
SCT1000N170
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCT1000N170-DG
Beschreibung:
HIP247 IN LINE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 7A (Tc) 96W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventar:
594 Stück Neu Original Auf Lager
12879503
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SCT1000N170 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 3A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
133 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
HiP247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT1000
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
G2R1000MT17D
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6559
TEILNUMMER
G2R1000MT17D-DG
Einheitspreis
3.45
ERSATZART
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