Hersteller Produktnummer:
BUT100
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
BUT100-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 125V 50A TO3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 50 A 300 W Through Hole TO-3
Inventar:
12876241
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Menge
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BUT100 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
125 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
900mV @ 10A, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
300 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3
Basis-Produktnummer
BUT100
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N6276
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2N6276-DG
Einheitspreis
82.82
ERSATZART
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Teilenummer
2N6274
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0
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Einheitspreis
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