Hersteller Produktnummer:
2ST501T
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
2ST501T-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 4 A 100 W Through Hole TO-220
Inventar:
1194 Stück Neu Original Auf Lager
12875577
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2ST501T Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Leistung - Max
100 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
2ST501
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2ST501T-DG
497-16232-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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