Hersteller Produktnummer:
2SC2812-7-TB-E
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SC2812-7-TB-E-DG
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Inventar:
402000 Stück Neu Original Auf Lager
12968496
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2SC2812-7-TB-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 6V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
3-CP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,210
Andere Namen
ONSSNY2SC2812-7-TB-E
2156-2SC2812-7-TB-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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