Hersteller Produktnummer:
2SA1253T-SPA-SY
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SA1253T-SPA-SY-DG
Beschreibung:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Through Hole 3-SPA
Inventar:
3800 Stück Neu Original Auf Lager
12940612
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2SA1253T-SPA-SY Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 5V
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
3-SPA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,664
Andere Namen
2156-2SA1253T-SPA-SY
ONSSNY2SA1253T-SPA
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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