Hersteller Produktnummer:
VT6M1T2CR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
VT6M1T2CR-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventar:
64626 Stück Neu Original Auf Lager
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VT6M1T2CR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7.1pF @ 10V
Leistung - Max
120mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
VMT6
Basis-Produktnummer
VT6M1
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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