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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
US6T9TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
US6T9TR-DG
Beschreibung:
TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 1A 320MHz 400mW Surface Mount UMT6
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13525196
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US6T9TR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
400mW
Frequenz - Übergang
320MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
UMT6
Basis-Produktnummer
US6T9
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
TUMT6 BIP Reliability Test
Design-Ressourcen
TUMT6D Inner Structure
Datenblätter
US6T9TR
TUMT6 TR Taping Spec
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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