Hersteller Produktnummer:
UMH2NTN
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
UMH2NTN-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Inventar:
2354 Stück Neu Original Auf Lager
13525535
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Menge
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EINREICHEN
UMH2NTN Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
UMT6
Basis-Produktnummer
UMH2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
UMH2NTNDKR
UMH2NTNTR
UMH2NTN-ND
UMH2NTNCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PUMH9,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
39858
TEILNUMMER
PUMH9,115-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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