Hersteller Produktnummer:
SCT3120ALHRC11
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SCT3120ALHRC11-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Inventar:
2250 Stück Neu Original Auf Lager
13526631
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SCT3120ALHRC11 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 3.33mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
103W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT3120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHG22N60E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
498
TEILNUMMER
SIHG22N60E-GE3-DG
Einheitspreis
1.88
ERSATZART
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