Hersteller Produktnummer:
SCT3022KLGC11
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SCT3022KLGC11-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Inventar:
221 Stück Neu Original Auf Lager
13525685
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SCT3022KLGC11 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 18.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2879 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
427W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT3022
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
