Hersteller Produktnummer:
SCT2160KEHRC11
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SCT2160KEHRC11-DG
Beschreibung:
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventar:
424 Stück Neu Original Auf Lager
12967378
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EINREICHEN
SCT2160KEHRC11 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT2160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
846-SCT2160KEHRC11
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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