Hersteller Produktnummer:
RV4E031RPTCR1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RV4E031RPTCR1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W
Inventar:
12968211
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RV4E031RPTCR1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
460 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1616-6W
Paket / Koffer
6-PowerWFDFN
Basis-Produktnummer
RV4E031
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RV4E031RPTCR1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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