Hersteller Produktnummer:
RUR020N02TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RUR020N02TL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventar:
9907 Stück Neu Original Auf Lager
13525565
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RUR020N02TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
540mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT3
Paket / Koffer
SC-96
Basis-Produktnummer
RUR020
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RUR020N02MGTL
RUR020N02TLTR
RUR020N02TL-ND
Q8382218
RUR020N02TLCT
RUR020N02TLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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