Hersteller Produktnummer:
RUM002N02T2L
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RUM002N02T2L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventar:
724945 Stück Neu Original Auf Lager
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RUM002N02T2L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VMT3
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
RUM002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RUM002N02T2LDKR
RUM002N02T2LCT
RUM002N02T2LTR
RUM002N02T2L-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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