Hersteller Produktnummer:
RT1A060APTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RT1A060APTR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
56 Stück Neu Original Auf Lager
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RT1A060APTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7800 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSST
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
RT1A060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RT1A060APTRDKR
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRTR
RT1A060APTRDKR-ND
RT1A060APCT
RT1A060APTRCT-ND
RT1A060APTRTR-ND
RT1A060APDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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