Hersteller Produktnummer:
RS6R035BHTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RS6R035BHTB1-DG
Beschreibung:
NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2474 Stück Neu Original Auf Lager
12992313
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RS6R035BHTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1470 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RS6R035BHTB1CT
846-RS6R035BHTB1TR
846-RS6R035BHTB1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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