RS1E180BNTB
Hersteller Produktnummer:

RS1E180BNTB

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RS1E180BNTB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount CPT3

Inventar:

2018 Stück Neu Original Auf Lager
13080612
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RS1E180BNTB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CPT3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RS1E

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RS1E180BNTB HSMT8 TB Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS1E180BNTBDKR
846-RS1E180BNTR
RS1E180BNTBCT
846-RS1E180BNTBCT
RS1E180BNTBTR
846-RS1E180BNTBDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
CSD17577Q3A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
27583
TEILNUMMER
CSD17577Q3A-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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