Hersteller Produktnummer:
RQ6P020ATTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ6P020ATTCR-DG
Beschreibung:
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
5425 Stück Neu Original Auf Lager
13001127
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RQ6P020ATTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
950mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
RQ6P020
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RQ6P020ATTCRDKR
846-RQ6P020ATTCRTR
846-RQ6P020ATTCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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