Hersteller Produktnummer:
RQ3P300BHTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ3P300BHTB1-DG
Beschreibung:
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 39A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
14395 Stück Neu Original Auf Lager
12967358
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RQ3P300BHTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3P300
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RQ3P300BHTB1TR
846-RQ3P300BHTB1DKR
846-RQ3P300BHTB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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