Hersteller Produktnummer:
RQ3E110AJTB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ3E110AJTB-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
13988 Stück Neu Original Auf Lager
13527398
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RQ3E110AJTB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RQ3E110AJTBDKR
RQ3E110AJTBCT
RQ3E110AJTBTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RF6E065BNTCR
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
