Hersteller Produktnummer:
RQ3E075ATTB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ3E075ATTB-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
4689 Stück Neu Original Auf Lager
13525655
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RQ3E075ATTB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
930 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E075
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RQ3E075ATTBDKR
RQ3E075ATTBCT
RQ3E075ATTBTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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