Hersteller Produktnummer:
RQ1C065UNTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RQ1C065UNTR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventar:
2855 Stück Neu Original Auf Lager
13524247
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RQ1C065UNTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
RQ1C065
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RQ1C065UNTRDKR-ND
RQ1C065UNCT
RQ1C065UNDKR
RQ1C065UNTRCT-ND
RQ1C065UNTRTR-ND
RQ1C065UNTRDKR
RQ1C065UNTRTR
RQ1C065UNTRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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