Hersteller Produktnummer:
RJ1G12BGNTLL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RJ1G12BGNTLL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL
Inventar:
1804 Stück Neu Original Auf Lager
13526416
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RJ1G12BGNTLL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.86mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12500 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
178W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LPTL
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
RJ1G12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
RJ1G12BGNTLLCT
RJ1G12BGNTLLTR
RJ1G12BGNTLLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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