Hersteller Produktnummer:
RHU002N06FRAT106
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RHU002N06FRAT106-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Inventar:
13608 Stück Neu Original Auf Lager
12851829
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RHU002N06FRAT106 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
RHU002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RHU002N06FRAT106-DG
846-RHU002N06FRAT106DKR
846-RHU002N06FRAT106TR
846-RHU002N06FRAT106CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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