Hersteller Produktnummer:
RHP020N06T100
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RHP020N06T100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Inventar:
120834 Stück Neu Original Auf Lager
13525486
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RHP020N06T100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MPT3
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
RHP020
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
RHP020N06T100CT
RHP020N06T100DKR
RHP020N06T100TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
R5016FNX
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM
