Hersteller Produktnummer:
RH6G040BGTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RH6G040BGTB1-DG
Beschreibung:
NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
5281 Stück Neu Original Auf Lager
12987617
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RH6G040BGTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1580 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
59W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RH6G040BGTB1DKR
846-RH6G040BGTB1TR
846-RH6G040BGTB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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