Hersteller Produktnummer:
RGTV60TS65GC11
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RGTV60TS65GC11-DG
Beschreibung:
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Detaillierte Beschreibung:
IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 194 W Through Hole TO-247N
Inventar:
162 Stück Neu Original Auf Lager
13525723
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RGTV60TS65GC11 Technische Spezifikationen
Kategorie
IGBTs, Einzelne IGBTs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
60 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Leistung - Max
194 W
Energie schalten
570µJ (on), 500µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate-Gebühr
64 nC
Td (an/aus) @ 25°C
33ns/105ns
Versuchsbedingung
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-247-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247N
Basis-Produktnummer
RGTV60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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