Hersteller Produktnummer:
RGT8NS65DGC9
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RGT8NS65DGC9-DG
Beschreibung:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
Detaillierte Beschreibung:
IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W Through Hole TO-262
Inventar:
965 Stück Neu Original Auf Lager
13526288
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RGT8NS65DGC9 Technische Spezifikationen
Kategorie
IGBTs, Einzelne IGBTs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Leistung - Max
65 W
Energie schalten
-
Eingabetyp
Standard
Gate-Gebühr
13.5 nC
Td (an/aus) @ 25°C
17ns/69ns
Versuchsbedingung
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr)
40 ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Basis-Produktnummer
RGT8NS65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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