Hersteller Produktnummer:
RF4G100BGTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RF4G100BGTCR-DG
Beschreibung:
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventar:
2790 Stück Neu Original Auf Lager
12997414
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EINREICHEN
RF4G100BGTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
530 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020-8S
Paket / Koffer
8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
RF4G100
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RF4G100BGTCRDKR
846-RF4G100BGTCRTR
846-RF4G100BGTCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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