RF4E070BNTR
Hersteller Produktnummer:

RF4E070BNTR

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RF4E070BNTR-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

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RF4E070BNTR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
HUML2020L8
Paket / Koffer
8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
RF4E070

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RF4E070BNTR HUML2020L8 TR Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RF4E070BNTRCT
RF4E070BNTRTR
RF4E070BNTRDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PMPB29XNE,115
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
19000
TEILNUMMER
PMPB29XNE,115-DG
Einheitspreis
0.09
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