Hersteller Produktnummer:
RF4E060AJTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RF4E060AJTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventar:
2309 Stück Neu Original Auf Lager
13524226
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RF4E060AJTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
HUML2020L8
Paket / Koffer
8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
RF4E060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RF4E060AJTCRDKR
RF4E060AJTCRTR
RF4E060AJTCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMPB29XNE,115
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
19000
TEILNUMMER
PMPB29XNE,115-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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