Hersteller Produktnummer:
RF4C100BCTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RF4C100BCTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventar:
2934 Stück Neu Original Auf Lager
13524871
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RF4C100BCTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1660 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
HUML2020L8
Paket / Koffer
8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
RF4C100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RF4C100BCTCRDKR
RF4C100BCTCRTR
RF4C100BCTCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMPB19XP,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1995
TEILNUMMER
PMPB19XP,115-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
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