Hersteller Produktnummer:
RDD023N50TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RDD023N50TL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventar:
13526650
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RDD023N50TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
151 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CPT3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RDD023
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RDD023N50TLTR
RDD023N50TLCT
RDD023N50TLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTY08N50D2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
4655
TEILNUMMER
IXTY08N50D2-DG
Einheitspreis
1.15
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