Hersteller Produktnummer:
RD3P05BATTL1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RD3P05BATTL1-DG
Beschreibung:
PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 50A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
3965 Stück Neu Original Auf Lager
13005849
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RD3P05BATTL1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4620 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
101W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RD3P05
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RD3P05BATTL1TR
846-RD3P05BATTL1CT
846-RD3P05BATTL1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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