RD3G07BATTL1
Hersteller Produktnummer:

RD3G07BATTL1

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RD3G07BATTL1-DG

Beschreibung:

PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 70A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

10030 Stück Neu Original Auf Lager
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RD3G07BATTL1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5550 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
101W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RD3G07

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RD3G07BATTL1

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RD3G07BATTL1TR
846-RD3G07BATTL1DKR
846-RD3G07BATTL1CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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