Hersteller Produktnummer:
RCX120N20
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RCX120N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
13526394
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RCX120N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.25V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
RCX120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLI630GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
991
TEILNUMMER
IRLI630GPBF-DG
Einheitspreis
1.08
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