Hersteller Produktnummer:
R6509ENXC7G
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6509ENXC7G-DG
Beschreibung:
650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 9A (Ta) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
994 Stück Neu Original Auf Lager
12974246
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R6509ENXC7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 230µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6509
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
846-R6509ENXC7G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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