R6086YNZ4C13
Hersteller Produktnummer:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

R6086YNZ4C13-DG

Beschreibung:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Inventar:

568 Stück Neu Original Auf Lager
13001156
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R6086YNZ4C13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 17A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 4.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
781W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247G
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6086

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
R6086YNZ4

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6086YNZ4C13

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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