Hersteller Produktnummer:
R6055VNZC17
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6055VNZC17-DG
Beschreibung:
600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
420 Stück Neu Original Auf Lager
13001702
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R6055VNZC17 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
71mOhm @ 16A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
99W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6055VN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6055VNZC17
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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