Hersteller Produktnummer:
R6027YNZ4C13
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6027YNZ4C13-DG
Beschreibung:
NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 27A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventar:
600 Stück Neu Original Auf Lager
13238541
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R6027YNZ4C13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 7A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
245W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247G
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6027YNZ4C13
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI-Zertifizierung
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