Hersteller Produktnummer:
R6022YNX3C16
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6022YNX3C16-DG
Beschreibung:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
998 Stück Neu Original Auf Lager
13002811
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R6022YNX3C16 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 1.8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
846-R6022YNX3C16
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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