R6020ENZC17
Hersteller Produktnummer:

R6020ENZC17

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

R6020ENZC17-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventar:

300 Stück Neu Original Auf Lager
12810855
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R6020ENZC17 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6020

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
R6020ENZC17

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6020ENZC17

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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