Hersteller Produktnummer:
R6013VNXC7G
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6013VNXC7G-DG
Beschreibung:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1080 Stück Neu Original Auf Lager
13001925
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R6013VNXC7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6013VN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
846-R6013VNXC7G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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