Hersteller Produktnummer:
R6009KNX
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6009KNX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
13526049
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R6009KNX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R6009
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK560A65Y,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
TK560A65Y,S4X-DG
Einheitspreis
0.60
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