R6004PND3FRATL
Hersteller Produktnummer:

R6004PND3FRATL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

R6004PND3FRATL-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

4541 Stück Neu Original Auf Lager
12953981
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

R6004PND3FRATL Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
R6004

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-R6004PND3FRATLTR
846-R6004PND3FRATLCT
846-R6004PND3FRATLDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
taiwan-semiconductor

TQM250NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

vishay-siliconix

SISS32ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

renesas-electronics-america

2SJ325-AY

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

vishay-siliconix

IRFBC30PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB