Hersteller Produktnummer:
R5011ANX
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R5011ANX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
13525447
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R5011ANX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
R5011
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
R5011ANXCT-ND
R5011ANXCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK13A50DA(STA4,Q,M
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
25
TEILNUMMER
TK13A50DA(STA4,Q,M-DG
Einheitspreis
1.03
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