Hersteller Produktnummer:
QSH29TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QSH29TR-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 70V 500mA 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13527128
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QSH29TR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
70V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
500 @ 200mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
1.25W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Basis-Produktnummer
QSH29
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QSH29DKR
QSH29CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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