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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
QS8M12TCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS8M12TCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13526085
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QS8M12TCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250pF @ 10V
Leistung - Max
1.5W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QS8M12
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ECH8660-TL-H
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2300
TEILNUMMER
ECH8660-TL-H-DG
Einheitspreis
0.20
ERSATZART
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