Hersteller Produktnummer:
QS5U16TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS5U16TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventar:
13526767
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QS5U16TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
175 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT5
Paket / Koffer
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Basis-Produktnummer
QS5U16
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QS5U16CT
QS5U16DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
QS5U17TR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8691
TEILNUMMER
QS5U17TR-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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