QH8JC5TCR
Hersteller Produktnummer:

QH8JC5TCR

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

QH8JC5TCR-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventar:

8358 Stück Neu Original Auf Lager
12985176
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

QH8JC5TCR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
91mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 30V
Leistung - Max
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QH8JC5

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-QH8JC5TCRDKR
846-QH8JC5TCRCT
846-QH8JC5TCRTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SQJB44EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

goford-semiconductor

G4953S

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

infineon-technologies

IAUC60N04S6L045HATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

microchip-technology

MSCSM120DDUM16CTBL3NG

SIC 4N-CH 1200V 150A